功率半导体本质上是起到开关作用，实际应用中可通过多个功率开关组合，控制拓扑电路中电流的开闭、流向、大小，进而通过调速、调频对执行部件进行控制和驱动。不同材料（Si、SiC、GaN）、不同类型的功率器件（MOSFET、IGBT 分立器件或模块）均有其适合的工作电压、功率和开关频率范围，关键的性能参数指标包括开关及导通损耗、热量损耗、开关频率、晶圆面积、封装尺寸等。 以最典型的电动助力转向系统 EPS 为例来说明 MOSFET 的工作原理：车辆运行过程中，方向盘扭矩及转角传感器监测方向盘转角及扭矩信息，轮速传感器监测车轮转速，控制器（ECU）通过 CAN 总线实时获取传感器信号，MCU 根据特定逻辑实时处理信号，计算得到一个理想的助力力矩并输出数字信号，通过三相半桥功率 MOSFET 来控制直流无刷电机的开关、正反转及加减速，最终实现助力效果。除此之外，MOSFET 还在该电路中起到防电源反接、过流保护、相切断等功能。 我们判断与 BDC 相比，BLDC 性能优势显著，中长期将从两方面展开替代，并且同步增加 MOS 管、栅极驱动器等功率半导体的需求。一是，转向、制动等安全性、可靠性要求高的场合，如 EPS、ESP 以及新增的 IBS；二是，动力传动系统要求控制精度、工作效率不断提高，水泵、燃油泵、润滑油泵、液压油泵等机械泵电子化，采用 BLDC驱动。相比较而言，座椅、车窗等舒适性系统，成本比较敏感、精度要求也较低，BLDC的渗透过程较为缓慢。