半导体存储是存储领域的应用领域最广、市场规模最大的存储器件：按照停电后数据是否可继续保存在器件内，半导体存储器可分为掉电易失和掉电非易失器件；易失存储器在过去的几十年里没有特别大的变化，依然是以静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）为主；非易失存储器从早期的不可擦除PROM，到后来的光可擦除EPROM、电可擦除EEPROM，到现在的主流的Flash，技术在不断的更新、进步。现在RAM领域还出现了铁电存储器（FRAM）、相变存储器（PRAM）、磁存储器（MRAM）和阻变存储器（RRAM）等非易失静态存储器。 EEPROM：低功耗，高擦写次数存储首选方案。EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程，一般用在即插即用。在一些所需存储容量不大，并且需要频繁更新的场合，EEPROM相比较于Flash，由于其百万次的擦写次数和更快速的写入，成为更佳选择。近年来，EEPROM除了越来越多的集成到SOC芯片中，也可搭配AMOLED、指纹、触控、摄像头、蓝牙、无线等芯片形成模组。EEPROM以其通用性，稳定耐用的数据存储，各种小容量规格，能满足摄像头模组、可穿戴设备等对参数存储的要求。 NOF Flash：芯片内可执行，新兴领域应用广泛。NOF Flash应用领域极其广泛，几乎所有需要存储系统运行数据的电子设备都需要使用NOF Flash。NOF Flash的广泛应用，主要得益于其可芯片内执行（XIP）的特点。如下图所示，Flash均使用浮栅场效应管作为基本单元来存储数据。在控制栅极（Word Line与场效应管连接处）未施加电压时，源极和漏极之间导通则数据为1，中断则为0。NOF Flash的连接方式为串联，读取数据不需对Word Line进行加压，直接测量对应的Bit Line和Source Line之间的通断即可获取该存储单元的数据。不仅实现了位读取，还大大提高了数据读取的速度。实现位读取，程序便可在NOF Flash上运行，即所谓的芯片内执行（XIP）。