靶材是在溅射过程中被高速金属等离子体流轰击的目标材料，是制备功能薄膜的原材料，又称“溅射靶材”，纯度为99.95%以上，更换不同靶材可得到不同的膜系，实现导电或阻挡等功能。当前靶材发展趋势是高溅射率、晶粒晶向控制、大尺寸、以及高纯金属。 就镀膜而言，主要工艺有物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。1）PVD 技术是目前主流镀膜方法，其中的溅射工艺在半导体、显示面板应用广泛。PVD 技术分为真空蒸镀法、溅镀法和离子镀法。三种方法各有优劣势：真空蒸镀法对于基板材质没有限制；溅镀法薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜好；离子镀法的绕镀能力强，清洗过程简化，但在高功率下影响镀膜质量。不同方法的选择主要取决于产品用途与应用场景。2）CVD 技术主要通过化学反应生成薄膜。在高温下把含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质引入反应室，在衬底表面上进行化学反应生成薄膜。 政策支持靶材实现国产替代。国家相继大力发展面板和半导体行业，出现了以京东方为代表的的面板和以中芯国际为代表的芯片厂商，多条高世代线和大尺寸产线在建，面板和半导体产业向大陆转移。但产业链上游配套材料仍主要由以日本为代表的国际巨头企业为主，当下美国持续升级对中国科技发展的限制，相关电子化学品的国产替代迫在眉睫。为解决“卡脖子”问题，我国自2006年在《国家中长期科学与技术发展规划纲要》中就已经确定了要大力发展核心电子器件及高性能材料，靶材支持相关政策不断涌现。