氮化镓材料性能优异，应用市场广泛。氮化镓（GaN）可同时涵盖射频和功率领域，特别是在高功率和高频率领域应用效果特别出色，与其他化合物半导体材料相比，具有较高投资价值。以氮化镓为材料的功率半导体器件可广泛应用于工业、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等传统产业领域。 氮化镓将成为5G射频器件的主要材料。根据业内公司发布的实验数据显示：使用GaN制作的功放产品的输出功率和效率都显著优于其他材料（GaAs、LDMOS）制作的功放产品；频率响应曲线的平坦持续范围最宽。正是由于GaN优秀的材料特质，毫米波、MassiveMIMO、波束合成以及载波聚合等5G移动通信中使用到的核心基础技术最后都将使用GaN材料制作功率放大器产品。 GaN材料在射频产品的渗透率将逐步提升。射频器件材料主要有三种：GaAs ，基于 Si 的 LDMOS以及GaN 。GaAs器件的缺点是器件功率较低，低于50W；LDMOS 器件的缺点是工作频率存在极限，最高有效频率在3GHz以下；GaN弥补了GaAs和Si基LDMOS两种老式技术之间的缺陷，在体现 GaAs 高频性能的同时，结合了Si基LDMOS的功率处理能力。随着GaN材料工艺的成熟和成本的下降，GaN在射频市场的渗透率将提升，预计到2025年将达到50%左右。