全球半导体资本开支自 2019 年起底部回升，未来有望进入加速投资阶段。据 IC Insights 预测，2020 年半导体资本支出为 1080 亿美元，同比增长 5.46%，2021 年将达到 1156 亿美元，同比增长 6.9%，由于疫情加速全球数字化转型叠加缺芯事件，引发晶圆厂投资建设加速，2020 年半导体资本开支超过 2018 年达到了历史最高点，至 2023 年全球半导体资本开支将上升至 1280 亿美元。根据 2021 年台积电 4 月召开的法说会，公司 2020 年资本开支为 172.4亿美元，预计 2021 年资本开支将上调至 300 亿美元，其中，80%的资本开支将用于先进制程（7nm、5nm 及 3nm）；三星则预计 2021 年增加资本支出 20%-30%用于存储及晶圆代工厂建设，全年资本开支将达 35 兆韩元（约合 296 亿美元）。 前道量检测设备注重过程工艺监控，几乎运用在每一道制造工序中。根据功能的不同分为两种设备：一是量测类，二是缺陷检测类。（1）量测类设备：主要用来测量透明薄膜厚度、不透明薄膜厚度、膜应力、掺杂浓度、关键尺寸、套准精度等指标，对应的设备分为椭偏仪、四探针、原子力显微镜、CD-SEM、OCD-SEM、薄膜量测等。（2）缺陷检测类设备：用来检测晶圆表面的缺陷，分为明/暗场光学图形图片缺陷检测设备、无图形表面检测设备、宏观缺陷检测设备等。 薄膜材料的厚度和物理常数量测设备：在半导体制造过程中，晶圆要进行多次各种材质的薄膜沉积，因此薄膜的厚度及其性质（如折射率和消光系数）需要准确地确定，以确保每一道工艺均满足设计规格。膜厚测量可以根据薄膜材料划分为两个基本类型，即不透明薄膜（金属类）和透明薄膜。测量不透明薄膜厚度的方法通常是通过测量方块电阻，通过其电阻与横截面积得到其膜厚，采用的设备一般为四探针台，将四根探针等距离放臵，通过对最外两根探针施加电流，从而测量其电势差，计算被测薄膜的方块电阻。目前市场主要供应商为 KLA（Omni Map 系列）。