半导体行业在科创板注册制下充分受益。根据 Wind 数据，自 2019 年 6 月科创板开板至2022 年 7 月 26 日，A 股上市半导体公司总数量增加 2.1 倍到 105 家，总市值上升到 2.7万亿元。公募基金半导体持仓占比从 2Q19 的 1.2%上升到 2Q22 末的 5.1%，半导体成为中国股票投资中的重要行业之一。 2019 年至今半导体板块市值占比增加明显，行业地位在 A 股市场重要性显著提高。根据我们统计，自 2019 年初以来，得益于半导体国产化及科创板落地，A/H 科技股半导体子板块市值增加了 2.52 万亿元（包含个股股价上涨，及新上市公司加入的贡献），达到 2.82万亿元，较 19 年初增长了 631%，相比之下 A/H 科技股手机产业链子板块市值增加了48%，通信及安防设备子板块市值仅增加了 40%。从市值占比来看，半导体板块从 2021年初的 15%增加到 2022 年 7 月 26 日的 45%，在 A 股市场重要性显著提高。 第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，主要应用于高压、高温、高频场景。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势。因此相较于传统硅基器件，采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅体积小重量轻，同时还具备更高的功率输出密度、更高的能量转换效率，可以显著提升系统装置的性能。其中，碳化硅器件具备耐高压、低损耗和高频三大优势，可以满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求，广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。氮化镓器件具备高开关频率、耐高温、低损耗等优势，可用于制作功率、射频、光电器件，广泛应用于消费电子、新能源车、国防、通信等领域。