按导电性能，InP衬底主要分为半导电和半绝缘衬底。半导电衬底又分为N型和P型半导电衬底， N型衬底通常选用Sn和In2S3作为掺杂剂，P型衬底则选用ZnP2作为掺杂剂。各种掺杂剂的使用，目的是为器件制造提供不同导电类型的衬底。其中，N型掺Sn的InP主要用于激光二极管，N型掺S的InP用于激光二极管和光探测器，P型掺Zn的InP主要用于高功率激光二极管。 磷化铟单晶的生长过程实际上是一种相变的过程，先升温加热，将多晶变成熔体，由固相转变为液相，然后降温，将熔体结晶为固体晶体，由液相转变为固相。当多晶原料熔化后，偏离化学配比较多时容易在晶体内部形成夹杂物、沉淀、孪晶和位错等缺陷，这些缺陷可能严重损害晶体质量和晶体的物理特性。因此，控制化合物半导体多晶料或者熔体的配比度是制备晶体材料的首要任务，也是制备高离解压化合物半导体的难点。 为了降低成本，磷化铟单晶的总体发展趋势是向大尺寸、低位错、工业化大规模生产发展。目前，磷化铟单晶衬底的主流尺寸是2-4英寸，最大商用尺寸是6英寸。根据北京通美招股书，Sumitomo和北京通美分别使用VB和VGF技术可以生长出直径6英寸的磷化铟单晶，日本JX使用LEC技术可以生长出直径4英寸的磷化铟单晶。