碳化硅的发展主要可以分为三大阶段。第一个阶段是结构基本性质和生长技术 的探索阶段,时间跨度从 1824 年发现 SiC 结构至 1955 年 Lely 法的提出 。 第二阶段是物理基本性质研究 和英寸级别单晶生长的技术积累阶段。 在此阶段物理气相传输( physical vapor transport, 缩写为 PVT)生长 方法基本确定、掺杂半绝缘技术被提出,至 1994年 Cree 推出了商用的 2 英寸(50. 8 mm) SiC 衬底材料 。 从 1994 年以后,随着国际上半导体照明及 2 英寸 SiC 单晶衬底的突破性进展,掀起了全球 SiC 器件及相关技术的研究热潮。 碳化硅衬底主要有2大类型：半绝缘型和导电型。在半绝缘型碳化硅市场，目前主流的衬底产品规格为4 英寸。在导电型碳化硅市场，目前主流的衬底产品规格为 6 英寸。 半绝缘 SiC 作为衬底是GaN异质外延的优选材料,在微波领域具有重要的应用前景。相比蓝宝石14% 、Si 16. 9%的晶格失配,SiC 与 GaN 材料仅有 3. 4% 的晶格失配,加上 SiC 超高的热导率,使其制备的高能效 LED 和 GaN 高频大功率微波器件在雷达、高功率微波设备和 5G 通信系统等方面均有极大的优势。半绝缘 SiC 衬底研发工作一直是 SiC 单晶衬底研发的重点。