作为第三代半导体材料的代表，SiC 具有大禁带宽度、高击穿电场强度、高饱和漂移速度和高热导率等优良特性。SiC 的禁带宽度（2.3-3.3eV）约是 Si 的 3 倍，击穿电场强度（0.8 × 106?/??-3 × 106?/??）约是 Si 的 10倍，热导率（490W/(m·K)）约是 Si 的 3.2 倍，可以满足高温、高功率、高压、高频等多种应用场景。 碳化硅衬底企业发展主要掣肘为工艺难点及价格，其中工艺为核心要素，工艺控制的改善也将有效改善生产成本，缩小与 Si IGBT 之间的价差后带动产业链整体放量。长晶环节是关键，碳化硅需要在高温、真空环境中生长，对温场稳定性的要求高，其生长速度相比硅材料有数量级的差异；此外，碳化硅存在 200 多种同质异构体，在密闭的高温石墨坩埚中生长，无法即时观察晶体的生长状况，容易产生位错及异质晶型，影响良率。器件环节，由于碳化硅材料同时存在硅与碳两种原子，因此需要特殊的栅介质生长方法，栅氧质量将直接影响沟道和栅极的可靠性，离子注入环节也容易降低性能及功率效率。 价格层面，22H1 产品价格继续回落，价差进一步缩小。价格方面，2022 年上半年 SiC、GaN 晶体管的均价较2021 年底有所下降。根据 Mouser 数据，SiC MOSFET 方面，650V、900V、1200V、1700V 的产品均价分别为 1.88 元/A、2.94 元/A、2.88 元/A、5.78 元/A；较 2021 年底分别下降了-7.13%、56.49%、-7.25%、-5.33%，基本回到 2020 年底价格水平。