碳化硅（Silicone Carbide, SiC）是第三代半导体材料。与前两代半导体材料相比，SiC 有着良好的耐热性、导热性和耐高压性。由 SiC 制成的器件，具有高效率、开关速度快等性能优势，能大幅降低产品能耗、提升能量转换效率并缩小产品体积，是制造高压功率器件的理想材料。 SiC 的禁带宽度是硅片的3+倍，保证了 SiC 器件在高温条件下的工作稳定性，减少因高温造成的器件故障现象。理论上一般硅片的极限工作温度为300°C，而 SiC 器件的极限工作温度可达600°C以上。同时，由于 SiC 的热导率比硅更高，在相同的输出功率下 SiC 能保持更低的器件温度，因此对散热设计要求更低，有助于实现设备的小型化。 高压稳定性 & 热稳定性：一般来说 Si MOSFETs 的正常工作电压可以达到 900v。而由 SiC 制成的器件，最大工作电压能轻松超过1700v，且能保持极低的漂移层电阻，减少能量损耗。同时，SiMOSFETs 在温度升高至150 °C时，漂移层电阻将会提高1倍，而 SiC MOSFETs 在同等条件下漂移层电阻仍能保持较好的稳定性，电阻提升幅度远小于 Si MOSFETs。