汽车的续航能力、动力性能和充能时间的决定性因素是其储能（及配套动力）系统的本质理化属性。这已为长逾百年的汽车进化史所证实。燃油汽车储能及配套动力系统主要为油箱、发动机。新能源汽车储能及动力系统（并含带有高压电的部件，耐压程度有 650V、900V、1200V 等不同等级）包括动力电池，驱动电机，高压配电箱（PDU），电动压缩机，DC/DC，OBC，PTC，高压线束等，这些部件组成了整车的高压系统，其中动力电池，驱动电机，控制系统为纯电动汽车上的三大核心部件。 对于半导体器件而言，其关键性质是在一定温度区间内，电导率可以通过掺杂手段加以控制。对于电中性的 IV 主族、III-V 主族半导体等而言，进行 V 主族元素掺杂，会增加电子作为多数载流子，形成施主能级，并获得 N 型半导体；进行 III 主族元素掺杂，会增加空穴作为多数载流子，形成受主能级，并获得 P 型半导体。 目前生长碳化硅单晶最成熟的方法是物理气相输运（PVT）法，其生长机理是：在超过 2000 ℃高温下将碳粉和硅粉升华分解成为 Si 原子、Si2C 分子和 SiC2 等气相组分；在温度梯度的驱动下，这些气相物质被输运到温度较低的碳化硅籽晶上形成较厚的晶锭（上述过程俗称拉单晶，但并非以提拉法制取材料）。