重复多次光刻、刻蚀、沉积，完成场效应管制作：代工厂首先使用 PVD/CVD 设备在晶圆表面沉积绝缘氧化层，然后使用离心技术涂光刻胶（涂胶）、根据芯片结构图曝光（光刻），受到强光照部分的光刻胶会失去其保护功能（显影）。接下来用蚀刻设备蚀刻暴露的氧化层，抛光后在裸露的硅中注入不同杂质离子（离子注入），使其导电率发生改变，形成 PN 结。重复该流程多次可完成场效应管的制作。 重复多次光刻、刻蚀、沉积，完成布线：在完成场效应管制作后，代工厂使用 PVD/CVD设备沉积层间绝缘薄膜，抛光后用光刻和蚀刻设备制作导孔，之后再次使用 PVD/CVD 设备沉积金属层，由此形成一层布线，重复该流程多次可完成芯片电路布线。 前道工序+后道工序使用设备价值量最高，从历史数据看，占比接近 80%。在半导体制作流程中需要用到大量设备，如硅片制造过程需要长晶炉、切割、CMP、清洗等设备；前端工艺（场效应管的制作）需要 CVD、PVD、涂胶器、光刻机、显影机、蚀刻机、CMP、离子注入设备，后道工艺（布线）与前道工艺设备相似；封测环节需要用到单晶圆热处理系统、晶圆探针、研磨机、切割机、芯片焊接机以及终测设备等。前端工艺和后端工序由于“制作难度较高+需重复多次”，设备价值量在整个工艺流程中最大。而对于存储器件与逻辑器件而言，前道与后道的设备价值又有所不同：存储器用于存储，需要更多的特殊结构晶体管以及电容，因此前道设备价值占比更高；而逻辑器件用于计算，需要更多布线层并且不需电容，因而后道设备价值占比更高。