金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管，由P极、N极、G栅极、S源极和D漏极组成。 MOSFET目前正朝着制程缩小、技术变化、工艺进步和材料迭代发展。功率MOSFET是70年代在经典MOSFET的基础上发展起来，其生产工艺制程从早期的10微米制程迭代至0.15-0.35微米制程，由于功率MOSFET更需要功率处理能力而非运算速度，因此制程缩小的演进在2000年左右基本终结。 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼具MOSFET和GTR的优点。