光刻胶本质是一种感光材料，也称光致抗蚀剂，主要用于微电子技术中微细图形加工。在紫外光、电子束、离子束、X 射线等照射或辐射下，光刻胶溶解度会发生变化，再经适当溶剂溶去可溶性部分，便可实现图形从掩模版到待加工基片上的转移。进一步，未溶解部分光刻胶作为保护层，在刻蚀步骤中保护其下方材料不被刻蚀，从而完成电路制作。 产品分类上，按照下游应用领域，光刻胶可分为 IC 光刻胶、PCB 光刻胶、LCD光刻胶。IC 光刻胶根据曝光波长又可分 g 线光刻胶(436nm)、i 线光刻胶(365nm)、KrF 光刻胶(248nm)、ArF 光刻胶(193nm)、EUV 光刻胶(13.5nm)等，通常情况下曝光波长越短，分辨率越佳，适用 IC 制程工艺越先进。按照化学反应原理，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶曝光部分在显影液中溶解，负性光刻胶未曝光部分在显影液中溶解。由于负性光刻胶显影时易变形和膨胀，自1970s 以后正性光刻胶逐渐成为主流。 全球电子产业制造东移，光刻胶作为关键耗材需求景气。在世界电子产业分工协作的大背景下，我国大陆凭借劳动力成本和终端市场需求等优势逐渐成为全球最大的电子信息产品制造基地，半导体、PCB、面板产能增长迅速，由此带来上游材料光刻胶市场需求同步快速增加。根据 Research And Markets 和 Cision 预测数据，2020-2026 年，全球光刻胶市场规模将从 87 亿美元增长至 120 亿美元以上，复合增长率约 6%，中国大陆光刻胶市场规模将从 84 亿元增长至 140 亿元以上。复合增长率约 10%，增速更快。